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坂佐井 馨
JAERI-Research 2004-017, 29 Pages, 2004/11
JAERI-Research-2004-017.pdf:3.61MB
グリーンの相反定理に基づき、電離計数管の電極間に点電荷がある場合、それによって電極に誘導される誘導電荷を解析的に導出した。電極の形状は平行平板及び円筒型を仮定した。平行平板型の場合、電荷分布はベッセル関数を含んだ積分で表され、円筒型は変形ベッセル関数を含んだ積分で表される。計数管の電流信号はその誘導電荷の時間微分で求められるため、これらの表式は計数管の電流信号を評価するのに有用である。
神野 郁夫
Review of Scientific Instruments, 61(1), p.129 - 137, 1990/01
被引用回数：11 パーセンタイル：73.82(Instruments & Instrumentation)シリコン表面障壁型半導体検出器(SSB)における電荷収集過程についてモデルを考案した。このモデルは著者が既に報告しているSSBにおけるプラズマ柱の生成・崩壊のモデルに続くものである。SSB内での電荷収集については、一対の電子、正孔を扱ったRamoの定理があるが、この定理をプラズマ柱の崩壊にともなう多数の電子および正孔に応用した。このモデルは、プラズマ柱の先端、後端の位置を時間の関数として表わし、またプラズマ柱消滅の時刻も算出する。このモデルを用いて、アルファ粒子、
Arイオンについて、SSBにかけるバイアス電圧を50~200Vに変化させ、誘導電流、誘導電荷を時間の関数として計算した。
